erc20和trc20转换（www.u2u.it）:ASML不卖DUV 陆晶片死路一条？美1漏洞让北京大爆杀

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,传艾司摩尔同意不出售生产成熟制程晶片的DUV设备给中国。

外媒日前报导，荷兰、日本加入对中国半导体设备出口管制行列，美日荷三国已达成共识，传出荷厂艾司摩尔同意不出售生产成熟制程晶片的深紫外光设备给中国，但产业分析师认为，若目标是为了打压中国先进技术能力，其中还存在不少漏洞。

集微网报导，知名产业分析师Dylan Patel表示，如果是限制中国取得14奈米、7奈米或5奈米先进制程技术，那么禁令必须达到能够处理这些节点功能的不同级别工具。

如台积电16奈米和12奈米技术，最小金属间距为64奈米；台积电7奈米技术最小金属间距为40奈米；5奈米制程技术最小金属间距为28奈米，出口禁令应基于这些参数制定适用标准。

Patel认为，透过自对准四重图案等技术和DUV曝光机，中芯国际已经跨入7奈米制程，而且这并不是经济上可实现的极限，台积电N5使用的28奈米最小金属间距，可以在没有极紫外光设备的情况下制造。

Patel说，若不让中国14奈米晶片大规模量产，必须阻止所有可以实现制程上最小金属间距64奈米工具，理论上，连KrF曝光机业者也需要纳入限制，SAQP搭配KrF曝光机，尽管经济效益不是最优，不过足以应对中国境内紧急需求。

报导指出，Patel推算，不考虑经济成本，只靠现有DUV机台，中芯国际理论上就可实现每月超过10万片晶圆的7奈米代工产能，高于三星和英特尔7奈米以下先进制程产能总和。若华虹、华力、长江存储、长鑫存储等目前DUV设备全被中芯调用，其打造出7奈米产能将甚至超过台积电。

此外，Patel认为，目前光阻剂和曝光机关键零组件并无出口限制，也是一个重大的漏洞，美国要压制中国先进制程能力，必须阻止这些工具的流通，但关键供应商很容易被上海微电子等本土曝光机商所触及。

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